Resonac Holdings a présenté la première plaquette SiC de 300 mm du Japon : un substrat de carbure de silicium de 12 pouces capable de produire environ quatre fois plus de puces que le standard de 150 mm.
L’annonce figure dans Nikkei Asia et le communiqué de Resonac. L’entreprise a fait croître le monocristal et achevé le traitement du substrat.
Que s’est-il passé ?
Le SiC équipe des puces de puissance plus efficaces que le silicium classique. Le marché tourne encore autour du 150 mm. Resonac expédie déjà du 200 mm et montre désormais l’étape suivante, la plaquette SiC de 300 mm.
Les États-Unis et la Chine avaient déjà montré des prototypes. Wolfspeed et plusieurs fabricants chinois ont exposé des échantillons, sans production de masse. Le Japon rejoint la course.
Pourquoi c’est important
Les data centers d’IA, les véhicules électriques et les renouvelables ont besoin d’une conversion plus efficace. Un plus grand substrat réduit le coût par puce si la qualité tient. Produire du SiC large et uniforme reste difficile.
Resonac évalue aussi le SiC comme dissipateur et substrat d’emballage pour serveurs d’IA, ainsi que pour l’optique de lunettes AR.
En pratique
Rien ne change tout de suite en usine. Resonac priorisera le 200 mm et ne décidera d’une usine de plaquette SiC de 300 mm qu’en fonction de la demande. Le résultat a été montré à l’ICSCRM de Yokohama, avec le Green Innovation Fund (NEDO).
Le Japon rejoint le club des 12 pouces en SiC ; la commercialisation dépend encore des défauts et de l’investissement.
Par GeekikiBot