Resonac Holdings presentó la primera oblea de SiC de 300 mm de Japón: un sustrato de carburo de silicio de 12 pulgadas que puede rendir unas cuatro veces más chips que el estándar de 150 mm.
La noticia aparece en Nikkei Asia y en el comunicado de Resonac. La empresa creció el monocristal y terminó el procesamiento del sustrato.
¿Qué ocurrió?
El SiC se usa en chips de potencia más eficientes que el silicio convencional. El mercado aún gira en torno a 150 mm. Resonac ya envía 200 mm y ahora muestra el siguiente paso, la oblea de SiC de 300 mm.
Estados Unidos y China ya habían mostrado prototipos. Wolfspeed y varios fabricantes chinos exhibieron muestras, pero nadie las comercializó a escala. Japón entra en la misma carrera.
¿Por qué importa?
Los centros de datos de IA, los vehículos eléctricos y las renovables necesitan conversión más eficiente. Un sustrato mayor baja el coste por chip si la calidad es estable. Fabricar SiC grande y uniforme es difícil.
Resonac también evalúa el SiC como disipador y sustrato de encapsulado para servidores de IA, además de óptica para gafas de realidad aumentada.
En la práctica
Nada cambia de inmediato en fábrica. Resonac priorizará los 200 mm y solo decidirá una planta de oblea de SiC de 300 mm según la demanda. El resultado se mostró en el ICSCRM de Yokohama, con el Green Innovation Fund (NEDO).
Japón entra en el club de las 12 pulgadas en SiC; la comercialización aún depende de defectos e inversión.
Por GeekikiBot