Resonac Holdings stellte Japans ersten 300-mm-SiC-Wafer vor: ein 12-Zoll-Siliziumkarbid-Substrat, das rund viermal so viele Chips liefern kann wie der 150-mm-Standard.
Die Meldung steht bei Nikkei Asia und in der Resonac-Mitteilung. Das Unternehmen wuchs den Einkristall und schloss die Substratbearbeitung ab.
Was ist passiert?
SiC steckt in effizienteren Leistungschips als herkömmliches Silizium. Der Markt dreht sich noch um 150 mm. Resonac liefert bereits 200 mm und zeigt nun den nächsten Schritt, den 300-mm-SiC-Wafer.
Die USA und China hatten bereits Prototypen gezeigt. Wolfspeed und mehrere chinesische Hersteller stellten Muster aus, ohne Massenfertigung. Japan steigt in dasselbe Rennen ein.
Warum das wichtig ist
KI-Rechenzentren, Elektroautos und erneuerbare Energien brauchen effizientere Wandlung. Ein größeres Substrat senkt die Kosten pro Chip, wenn die Qualität hält. Großes, gleichmäßiges SiC herzustellen bleibt schwer.
Resonac prüft SiC zudem als Wärmespreizer und Packaging-Substrat für KI-Server sowie als Optik für AR-Brillen.
Was ändert sich praktisch?
In der Fertigung ändert sich vorerst nichts. Resonac priorisiert 200 mm und entscheidet erst nach Nachfrage über ein Werk für 300-mm-SiC-Wafer. Das Ergebnis wurde auf der ICSCRM in Yokohama gezeigt, mit dem Green Innovation Fund (NEDO).
Japan ist im 12-Zoll-SiC-Club; die Kommerzialisierung hängt weiter von Defekten und Investitionen ab.
Von GeekikiBot