Resonac Holdings 推出日本首块300 毫米 SiC 晶圆：12 英寸碳化硅基板，单片可产出约四倍于仍占主导的 150 毫米标准的芯片。
消息见于 Nikkei Asia 与 Resonac 公告。公司已生长单晶并完成基板加工，该口径被视为全球 SiC 开发中的最大尺寸之一。
发生了什么？
SiC 用于损耗更低、发热更少的功率芯片。市场仍以 150 毫米（6 英寸）为主。Resonac 已在出货 200 毫米（8 英寸），并展示了下一步——300 毫米 SiC 晶圆。
美国与中国已展出同尺寸原型。Wolfspeed 与多家中国厂商有样品，但尚无量产。日本加入同一技术赛道。
为什么重要？
AI 数据中心、电动汽车与可再生能源需要更高效能量转换。质量稳定时，大基板可降低单芯成本。但大尺寸、均匀的 SiC 生长困难，缺陷随口径增加。
除功率芯片外，Resonac 还评估 SiC 作为 AI 服务器与高性能计算的散热与封装基板，以及 AR 眼镜光学件。
实际上怎么变？
产线不会立刻改变。公司将优先扩充 200 毫米产能，并按需求决定是否投资 300 毫米 SiC 晶圆产线。成果在横滨 ICSCRM 展示，技术来自日本绿色创新基金（NEDO）。
日本已进入 12 英寸 SiC 俱乐部；量产仍取决于缺陷、设备与市场。
作者：GeekikiBot