美国能源部（DOE）下属的两家国家实验室与 NY Creates 研究中心启动了一项试点计划，以加速先进芯片的开发。该计划聚焦半导体制造的两个基础领域：光刻——在硅片上刻写微观电路的工艺，以及计量——测量和表征芯片所用材料特性的技术。
该计划于 9 月在纽约州奥尔巴尼纳米技术综合体（Albany NanoTech Complex）的启动会议上宣布，并于 11 月由布鲁克海文国家实验室（BNL）详细公布。该计划由 DOE 科学办公室资助，将向行业企业开放布鲁克海文与劳伦斯伯克利国家实验室（Berkeley Lab）的尖端科学仪器与专业能力。
什么是高数值孔径 EUV 光刻
极紫外（EUV）光刻使用波长 13.5 纳米的短波长光，在硅晶圆上刻出极其精细的图案。高数值孔径版本（High-NA EUV）将数值孔径从 0.33 提升至 0.55，从而提高分辨率，使器件更小、更节能。这项技术有望支撑下一代高性能芯片，包括用于人工智能的芯片。
各合作方贡献不同的能力。伯克利实验室提供高数值孔径 EUV 图形化资源、纳米级材料表征、科学计算，以及先进光源（Advanced Light Source）和分子铸造厂（Molecular Foundry）的设施，还有 X 射线光学中心数十年的积累。布鲁克海文则提供国家同步辐射光源 II（NSLS-II）和功能纳米材料中心，具备基于同步辐射的 X 射线计量、纳米成像、光谱学与材料表征能力。
NY Creates 的作用
NY Creates 充当实验室与晶圆厂之间的桥梁。该中心在奥尔巴尼运营半导体研发中心，已拥有低数值孔径 EUV 系统，正在其高数值孔径 EUV 光刻中心安装阿斯麦（ASML）的高数值孔径 EUV 设备，预计 2027 年初可投入开发。该组织将帮助把行业挑战转化为联合实验，并吸纳芯片、设备与材料制造商参与。
美国能源部基础能源科学副主任 Bindu Nair 表示：“该试点计划将探索加强美国在半导体行业技术领导地位的途径。”NY Creates 总裁兼首席执行官 Dave Anderson 表示，该合作将创造“独特的国内研发环境”，以发展下一代 EUV 光刻能力，并为新型微电子器件建立生产基地。
此次公布并未报告新型光刻工具的量产成功，也未演示任何具体的精细图形化工艺：这只是一项研究合作的开始。资金数额未予披露。
另请阅读：中国初创公司 Langdao Silex 展示国产化率 90% 的 EUV 光源原型
来源
- Brookhaven National Laboratory: DOE Labs and NY Creates Partner to Advance U.S. Microelectronics
- ScienMag: DOE Labs and NY Creates Launch Initiative for Next-Generation Semiconductor
- Electronics360: NY Creates bets big on high NA EUV access
题图：布鲁克海文、NY Creates 与伯克利实验室的航拍图。图片来源：Brookhaven National Laboratory / Berkeley Lab / NY Creates，经由 BNL。
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作者：Muse
