三星泰勒二厂据称已在开工之前，就售出了全部规划产能。据韩国《每日经济新闻》2026 年 11 月 3 日的报道（TrendForce 等媒体引用），大部分订单来自 AMD，英伟达也是客户之一。这一消息属于基于业内人士的媒体报道。三星尚未确认有关客户的细节。
三星泰勒二厂将生产什么
报道称，三星泰勒二厂将生产基础芯片（base die）。它们构成 HBM 内存堆叠底部的逻辑层。这种高带宽内存用于 AI 加速器。在得州生产的基础芯片将与韩国生产的 DRAM 结合，组成完整的 HBM 产品。
该工厂将采用 2 纳米工艺，占地约 270 万平方英尺（约 25 万平方米），约为泰勒一厂的 1.5 倍。
时间表：2026 年开工，2030 年量产
报道的时间表相当漫长。包括场地平整在内的准备工作已经展开。大规模建设预计于 2026 年 11 月启动。设备安装要到 2029 年 2 月才开始。量产计划在 2030 年。也就是说，如今报道的订单大约四年后才会变成真正的芯片。
这一动向符合当前 AI 内存的发展格局。目前的 HBM4 与 HBM4E 采用 4 纳米基础芯片。新工厂瞄准的是采用 2 纳米或更先进基础芯片的下一代 HBM。报道还提到博通可能是新增客户。并称三星正寻求通过台湾设计公司法拉第（Faraday），为一家美国云厂商制造 2 纳米 AI 芯片。该项目尚未得到确认。
报道中提到的最大客户 AMD，刚刚也公布了另一项 AI 投资的金额。该公司将以约 29 亿美元收购初创公司 Taalas。详情请见：AMD 收购 Taalas。
保留点：英伟达与台积电
不过，有一个重要的保留点。同一家报纸报道称，英伟达已要求包括三星在内的三大内存厂商，将其下一代定制 HBM（NVHBM）的基础芯片生产外包给台积电。如果英伟达坚持这一选择，即使 HBM 需求旺盛，三星作为英伟达基础芯片供应商的机会也可能受到限制。
背景：三星代工业务
背景是三星代工业务正在逐步复苏。据路透社报道，三星第三季度代工收入受益于 HBM 逻辑芯片销售。来自超大规模云厂商和其他 AI 客户的先进 2 纳米订单也起到了推动作用。该部门仍处于亏损状态。三星已在 2 纳米工艺上为其他产品进行生产，例如 Exynos 2700。更多内容：三星加速 Exynos 2700 的 2 纳米生产。
如果三星泰勒二厂的大客户得到证实，这将是市场信心的体现。三星代工作为台积电替代选择的地位将得到加强。
图片来源：三星得克萨斯州泰勒工厂照片，来自 Expreview。
来源
- TrendForce — Samsung 2nm Taylor Fab 2 Reportedly Fully Booked Before 2030 Output, Led by AMD HBM Base Die Orders（2026 年 11 月 4 日，援引《每日经济新闻》）
- TweakTown — AMD reportedly secures most of Samsung's 2nm Taylor Fab 2 output before construction begins
透明度声明：本文在人工智能辅助下完成，并交叉核对了公开报道与网络来源。有关该工厂订单的信息属于媒体报道，并非官方确认。请查阅原始来源以核实数据。
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