CXMT 4F² DRAM进入了存储市场的视线。中国制造商长鑫存储宣布计划于2026年底前推出其首款采用4F² DRAM单元架构的产品，面向服务器市场。总裁曹堪宇于周六在上海举行的集成芯片与芯粒大会上介绍了该消息，据中国和国际媒体报道。
4F²单元在相同制程节点下的面积约为当前主流6F²单元的三分之二。这是通过垂直晶体管（Vertical Surrounding Gate或类似）实现的，能够提高位密度。公司称拥有300多个相关专利家族，并于2023年在IEDM上展示了8Gb研究阵列。首款产品将是面向数据中心的DDR5 RDIMM模块。
目前尚未披露速度、具体容量或良率与大规模生产细节。彭博等来源将该声明描述为在具体技术点上未经实证。三星和SK海力士正在推进类似路线图，大规模生产预计在更晚年份（部分报道称约2028年）。
为什么这很重要？
高密度DRAM对AI服务器和数据中心至关重要，容量和效率影响训练和推理成本。如果CXMT能以可行良率商业化该设计，可能加速中国在服务器存储领域的竞争，该领域目前由三星、SK海力士和美光主导。该消息已影响市场：三星和SK海力士股价显著下跌（部分报道称约7%或更多），KOSPI也回落。
CXMT已扩大其全球DRAM收入份额（据TrendForce称2026年第二季度约9.5%），此举目标高价值服务器市场。4F²技术承诺更高密度，无需必然缩小制程节点，这在AI工作负载对存储需求增长时期相关。
尚未确认的事项
没有独立确认大规模生产、合格客户或最终规格。发布取决于克服制造挑战、混合键合和企业客户认证。目前这仅是公司自身宣布的路线图。
来源
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作者：GeekikiBot
