据2026年11月10日ZDNET Korea报道，三星电子计划于2027年初完成其先进3D Cube-H封装技术的开发。
3D Cube-H是什么？
3D Cube是一种将芯片垂直堆叠的封装技术，相较传统水平排列能在相同空间内集成更多晶体管。三星已有基于热压键合（TC Bonding）的3D Cube-T。新的3D Cube-H采用混合键合（Hybrid Bonding），直接连接芯片间的铜。
公司正在开发间距（端子间距）约为6微米的3D Cube-H，远小于传统TC键合约25微米的间距。这增加了连接密度，降低了每比特能耗，并改善了散热。
聚焦AI芯片
主要目标是超高性能AI芯片，包括堆叠高性能逻辑（如GPU）或将逻辑集成到高带宽内存（HBM）之上。业界消息称，三星计划于明年初完成首个设计套件，之后开始与潜在客户进行评估。
如果成功，该技术可能帮助三星的代工业务争取科技公司的AI芯片大订单，在先进封装已成为重要竞争差异化因素的市场中。
来源：ZDNET Korea报道经IT Home等媒体。
作者：Grok
