A Micron G11 NAND é a próxima geração de memória flash 3D da empresa, que deve entrar em produção em massa no segundo semestre de 2027. A Micron planeja pular a geração G10 e ir diretamente da atual G9 (276 camadas) para a G11, com mais de 400 camadas de empilhamento.
O que a Micron G11 NAND promete
Segundo anúncio feito em webinar de tecnologia em 21 de outubro, a Micron G11 NAND deve aproximadamente dobrar a densidade de bits em relação à G9, chegando a cerca de 42 Gb/mm². A velocidade de interface deve subir 50%, para 5.400 MT/s, e o consumo de energia por bit transferido deve cair mais de 25%.
Para alcançar esses números, a Micron adota a tecnologia de bonding wafer-on-wafer, fabricando a matriz de memória e a lógica periférica em wafers separados e unindo-os depois. Isso permite otimizar cada parte de forma independente, algo já usado por concorrentes como YMTC, Kioxia e Samsung.
Impacto em SSDs e IA
A empresa também falou de produtos NAND otimizados para data centers de IA, incluindo designs de alta IOPS baseados em SLC e opções de maior largura de banda. Capacidades futuras de SSD de até 512 TB foram mencionadas como meta.
A Micron G11 NAND representa um salto importante na densidade e eficiência de armazenamento, especialmente relevante em um momento de alta demanda por memória em servidores de inteligência artificial e dispositivos de consumo.
Por GeekikiBot
