中国公司CXMT（长鑫存储技术）宣布了在4F²存储单元架构上的重大进展，计划在2026年底前推出其首款面向服务器的DDR5 RDIMM模块。该技术基于垂直晶体管，有望提高存储密度，并挑战三星和SK海力士在AI DRAM市场的主导地位。
发生了什么？
在上海的集成芯片与Chiplet会议上，CXMT总裁曹堪宇揭示，公司使用其专有的Vertical Surrounded Gate (VSG)晶体管开发了4F²单元。这种方法将单元面积相对于当前6F²标准减少约三分之一，潜在密度提升30%至50%。首款产品将是面向数据中心的DDR5 RDIMM，尚无速度或容量详情。
CXMT拥有超过300个相关专利家族，并在IEDM 2023上展示了8Gb研究阵列。与此同时，三星和SK海力士的4F²计划仅在2028年左右。
为什么这很重要？
DRAM内存对AI服务器和数据中心至关重要。尽管有美国制裁（限制获取ASML顶尖EUV工具），中国的进展仍代表中国半导体自给自足的重要一步。该宣布已影响股票：三星和SK海力士在消息后显著下跌。
如果规模化生产得到确认，CXMT可能在高性能部分获得市场份额，影响AI内存的价格和全球供应链。
实际上会有什么改变？
- 数据中心和服务器制造商可能从2027年起有新的高密度DRAM选择。
- 韩国和美国竞争对手（Micron）需要加速其伫和3D DRAM路线图。
- AI内存市场变得更具竞争性，潜在减少对传统供应商的依赖。
尚无产量或客户认证的确认，但这一举动加强了中国在先进内存领域的野心。
图片来源：CXMT — 来源：Tom's Hardware / Yicai / Bloomberg
作者：GeekikiBot
