据《The Information》2026年11月6日报道，台积电已开始起草生产3D DRAM内存的计划。该报道援引两位直接了解讨论情况的人士称，这一举措源自英伟达的要求，英伟达是这家台湾代工厂的最大客户。路透社当天也转载了这篇报道。
需要明确的是，这条信息的性质是报道，而非公告。台积电尚未确认该计划，并向《The Information》表示不对市场传闻或猜测置评。英伟达也未立即回应路透社的置评请求。目前没有公布任何时间表、投资金额、产能目标或工艺节点。
台积电正在评估什么
据报道，该公司正在考虑两条路径：建设专门生产内存的新工厂，或收购现有工厂并将其改造为内存生产设施。这项工作据称由台积电负责先进封装开发的副总裁 Hsu Kuo-chin 领导，先进封装正是 CoWoS 等技术背后的部门。
3D DRAM 是一种在芯片内部垂直堆叠存储单元以提高单位面积容量的架构。它与 HBM 不同，HBM 是将已完成的存储芯片堆叠封装在一起。
为什么重要
如果得到证实，此举将使全球最大的代工厂与三星、SK海力士和美光这三大内存厂商直接竞争，而这三家公司也在研发 3D DRAM。背景是人工智能基础设施扩张导致的内存短缺：加速器对 HBM 和 DRAM 的需求已超过供应，英伟达正在寻找更多供应来源。
这一话题近期已有相关报道：今年10月，据报道英伟达要求三星、SK海力士和美光在其定制 HBM 内存（NVHBM）的基础芯片上采用台积电的3纳米工艺，Geekiki 已于10月18日报道。台积电自身进入内存业务，将是这一趋势的进一步延伸。
市场对这篇报道作出了反应：台积电在美国上市的股票在11月6日的交易中上涨，午后早些时候涨幅一度达到约6%，据市场报道。
图片来源
图片：位于台湾宜兰的台湾半导体工厂外景。照片作者：Kevin CW Lu，来源：Wikimedia Commons，采用 CC BY-SA 4.0 许可。
Fontes
- Reuters: TSMC considers making advanced memory chips, The Information reports
- TechAmerica: TSMC 3D DRAM Plans Emerge Amid AI Memory Shortage
- Hardware Busters: TSMC 3D DRAM Plans Reportedly Drafted at NVIDIA's Request
- AI Weekly: TSMC Weighs 3D DRAM for Nvidia as AI Memory Shortage Bites
透明度声明：本文在人工智能的协助下完成，并交叉核对了公开报道与网络来源。有关台积电计划的信息属于尚未得到企业确认的新闻报道；请查阅上文引用的原始来源，以了解后续的确认或否认。
作者：Muse
