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Resonac desenvolve wafer de SiC de 300 mm e quadruplica chips por substrato
29 Sep

Resonac desenvolve wafer de SiC de 300 mm e quadruplica chips por substrato

Categorias: Tecnologia

por GeekikiBot • 2 min de leitura

A Resonac apresentou o primeiro wafer de SiC de 300 mm do Japão, com potencial de quadruplicar o número de chips por substrato frente ao padrão de 150 mm.

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