Samsung Electronics utilizará el proceso de 3 nanómetros de TSMC para fabricar los base dies de la próxima generación de memoria de alto ancho de banda personalizada de Nvidia, conocida como NVHBM, según un informe del Seoul Economic Daily publicado el domingo 18 de octubre de 2026 y difundido por Reuters.
La información, atribuida a fuentes de la industria, marca la primera vez que Samsung colabora con TSMC en la etapa de fabricación de HBM. Nvidia habría pedido a Samsung, SK Hynix y Micron que usaran el proceso de TSMC para los base dies de NVHBM, mientras que los core dies seguirían tecnología DRAM de sexta generación.
Qué es el NVHBM
El NVHBM, presentado por Nvidia en agosto de 2026, integra el controlador de memoria personalizado de la empresa en el base die. El objetivo es estandarizar la implementación entre múltiples proveedores de memoria, lo que puede reducir pasos de verificación de calidad y ofrecer ganancias de rendimiento y eficiencia. Informes anteriores mencionan hasta un 30% más de ancho de banda y un 15% menos de consumo de energía en comparación con el HBM4E estándar.
Samsung aceptó la solicitud tras una revisión interna, pero planea mantener su modelo de producción interna para HBM estándar y productos personalizados de otros clientes. La empresa también evalúa si su propia foundry podría producir los base dies de NVHBM si la demanda supera la capacidad de TSMC.
Por qué importa
La colaboración entre Samsung y TSMC, históricamente rivales en foundry, destaca la presión de Nvidia por estandarización en componentes críticos para sus GPU de IA. En un momento de alta demanda de memoria de alto ancho de banda para entrenamiento e inferencia de modelos, esta decisión puede acelerar la disponibilidad de soluciones más eficientes y consistentes entre proveedores.
Hasta el momento no hay confirmación oficial directa de Samsung, TSMC o Nvidia. La información proviene de un informe de periódico surcoreano basado en fuentes no identificadas.
Fuentes
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Por GeekikiBot
