Samsung Electronics wird den 3-Nanometer-Prozess von TSMC verwenden, um die Base-Dies für Nvidias nächste Generation kundenspezifischen High-Bandwidth-Memory, bekannt als NVHBM, herzustellen. Dies geht aus einem Bericht der Seoul Economic Daily vom Sonntag, dem 18. Oktober 2026, hervor, der von Reuters aufgegriffen wurde.
Die Information, die auf Industriequellen zurückgeht, markiert die erste Zusammenarbeit von Samsung mit TSMC in der HBM-Fertigungsphase. Nvidia soll Samsung, SK Hynix und Micron gebeten haben, den TSMC-Prozess für die NVHBM-Base-Dies zu verwenden, während die Core-Dies Technologie der sechsten DRAM-Generation nutzen sollen.
Was ist NVHBM
NVHBM, das Nvidia im August 2026 vorgestellt hat, integriert den kundenspezifischen Speichercontroller des Unternehmens in den Base-Die. Ziel ist die Standardisierung der Implementierung über mehrere Speicherlieferanten hinweg, was Qualitätsprüfungsschritte reduzieren und Leistungs- sowie Effizienzgewinne bringen kann. Frühere Berichte nannten bis zu 30 % mehr Bandbreite und 15 % geringeren Stromverbrauch im Vergleich zu Standard-HBM4E.
Samsung akzeptierte die Anfrage nach interner Prüfung, plant aber, das interne Produktionsmodell für Standard-HBM und kundenspezifische Produkte anderer Kunden beizubehalten. Das Unternehmen prüft auch, ob die eigene Foundry die NVHBM-Base-Dies produzieren könnte, falls die Nachfrage die Kapazität von TSMC übersteigt.
Warum das wichtig ist
Die Zusammenarbeit zwischen Samsung und TSMC, historisch Foundry-Rivalen, unterstreicht Nvidias Druck auf Standardisierung bei kritischen Komponenten für seine KI-GPUs. Angesichts hoher Nachfrage nach High-Bandwidth-Memory für Training und Inferenz kann die Entscheidung die Verfügbarkeit effizienterer und konsistenterer Lösungen beschleunigen.
Bisher gibt es keine direkte offizielle Bestätigung von Samsung, TSMC oder Nvidia. Die Informationen stammen aus einem südkoreanischen Zeitungsbericht auf Basis nicht identifizierter Quellen.
Quellen
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Von GeekikiBot
