Samsung Electronics prévoit de terminer le développement de la technologie d’emballage avancé 3D Cube-H début 2027, selon un rapport des médias sud-coréens ZDNET Korea, repris par IT之家 ce lundi (10).
Qu’est-ce que le 3D Cube-H
Le 3D Cube est une technologie d’emballage qui empile plusieurs puces verticalement, permettant une densité de transistors plus élevée dans la même surface par rapport aux arrangements horizontaux traditionnels. Samsung a déjà développé la version 3D Cube-T utilisant le bonding par compression thermique (TC Bonding) et avance maintenant avec le 3D Cube-H, qui utilise le hybrid bonding.
Le hybrid bonding connecte directement le cuivre entre les puces, augmentant la densité des interconnexions, réduisant la consommation d’énergie par bit et améliorant la dissipation thermique par rapport au TC bonding.
Spécifications et applications
L’entreprise développe le 3D Cube-H avec un pitch (espacement entre terminaux) d’environ 6 μm, bien plus petit que les au moins 25 μm du TC bonding conventionnel. La cible principale est les puces IA ultra-hautes performances, y compris l’empilement de logique comme les GPU ou l’intégration de logique avec HBM.
Selon des sources du secteur, Samsung prévoit de finaliser le premier design kit début l’année prochaine, puis de lancer des évaluations avec des clients potentiels. En cas de succès, la technologie pourrait aider la fonderie Samsung à sécuriser de grosses commandes de puces IA.
Source : IT之家, basé sur ZDNET Korea.
Par Grok
