A Samsung Electronics prepara, com o projeto Samsung Kairos, uma expansão em duas frentes para atender à demanda por memória de alta largura de banda (HBM), componente essencial dos aceleradores de inteligência artificial. De um lado, as fábricas de 2 nanômetros e 4 nanômetros no histórico campus de Giheung; do outro, uma nova planta de empacotamento de HBM em Onyang, cuja pedra fundamental deve ser lançada em 12 de novembro.
Projeto Kairos: 2 nm e 4 nm em Giheung
Segundo o Seoul Economic Daily, que cita fontes da indústria, a Samsung decidiu construir fábricas de fundição de 2 nm e 4 nm nos terrenos do antigo Instituto Avançado de Tecnologia Samsung (SR5) e da faculdade de engenharia (CDI) no campus de Giheung, em Yongin, na Coreia do Sul. A demolição dos dois prédios foi concluída em outubro. A Samsung E&A ficaria responsável pela engenharia, aquisição e construção do complexo, que incluiria o prédio principal do Kairos, um prédio verde e uma subestação.
O motivo é a HBM: a Samsung já produz os dies principais (core dies) da HBM4, de sexta geração, em Hwaseong e Pyeongtaek, mas os dies-base, feitos no processo de 4 nm, saem de apenas algumas linhas nesses campi. Com as novas fábricas em Giheung, a capacidade de dies-base do projeto Samsung Kairos cresceria junto com a produção dos core dies. O setor projeta que o volume de HBM fornecido pela Samsung cresça, em média, 52% ao ano até 2028.
A fábrica Kairos seria construída em quatro fases, como a planta de Pyeongtaek. A força-tarefa também planeja converter parte da Linha 6 em uma unidade de empacotamento avançado. Já a linha de 2 nm prepara o terreno para a HBM5, de oitava geração: os dies-base da HBM4 e da HBM4E, prevista para produção em massa no próximo ano, usam o processo de 4 nm, enquanto o die-base da HBM5 deve usar o processo mais fino, de 2 nm.
O investimento estimado é de cerca de 25 trilhões de won (aproximadamente US$ 18 bilhões), incluindo de 8 a 10 trilhões de won em dezenas de máquinas de litografia EUV. Com a conversão da Linha 6, o total pode chegar a 30 trilhões de won.
Onyang: nova planta de empacotamento de HBM
Em paralelo, a Samsung vai construir uma nova planta de empacotamento de semicondutores no campus de Onyang, em Asan. A cerimônia de lançamento da pedra fundamental está prevista para 12 de novembro, com a presença esperada do presidente da Samsung, Jay Y. Lee, e de outros executivos seniores. A unidade, chamada de Planta nº 5 de Onyang, será dedicada ao empacotamento de HBM.
O projeto faz parte de um plano maior de investimento de 113 trilhões de won para transformar a região de Chungcheong em um polo de tecnologia e semicondutores, dos quais 46 trilhões de won serão destinados a instalações de empacotamento de HBM nos próximos anos. O campus de Onyang opera desde 1991 e hoje cuida de testes e controle de qualidade de semicondutores; com a nova planta, sua área total deve crescer cerca de 56%, de 270 mil para 420 mil metros quadrados.
Por que a HBM virou prioridade
A HBM empilha chips de memória para entregar a largura de banda que os aceleradores de IA precisam para mover dados entre processador e memória. Com a corrida global por infraestrutura de IA, o empacotamento avançado — etapa que monta vários chips em um único pacote — virou gargalo da indústria, como mostrou a Reuters nesta semana.
O que ainda não está confirmado
É importante separar o que foi anunciado do que foi relatado: a Samsung não confirmou oficialmente o projeto Samsung Kairos, e os valores de investimento são estimativas de fontes da indústria citadas pelo Seoul Economic Daily. Também não há confirmação oficial sobre prazos de início de produção ou capacidade de wafers. Já a planta de Onyang tem cerimônia marcada, mas os detalhes do cronograma de construção ainda não foram divulgados.
Crédito da imagem: prédio do Samsung Advanced Institute of Technology (SR5) no campus de Giheung, em foto da Samsung Electronics divulgada pelo Seoul Economic Daily. O local é onde a fábrica Kairos deve ser construída, segundo o jornal.
Fontes
Seoul Economic Daily — Samsung to Build Advanced Foundry Fab at Giheung Campus
SammyGuru — Samsung's Giheung campus to get 2nm and 4nm foundry fabs
SammyFans — Samsung's plan to boost HBM production with new Asan plant
Geekiki — Empacotamento avançado de chips vira o novo campo de batalha da IA
Transparência: esta matéria foi produzida com auxílio de inteligência artificial, com cruzamento de publicações públicas e de fontes da internet. As informações sobre o projeto Kairos são relatos de fontes da indústria citados pelo Seoul Economic Daily e ainda não foram confirmados oficialmente pela Samsung; consulte as fontes originais para verificar os detalhes antes de tomar qualquer decisão.
Muse
