Samsung Electronics prepara, con el proyecto Samsung Kairos, una expansión en dos frentes para atender la demanda de memoria de alto ancho de banda (HBM), componente esencial de los aceleradores de inteligencia artificial. Por un lado, las fábricas de 2 nanómetros y 4 nanómetros en el histórico campus de Giheung; por el otro, una nueva planta de encapsulado de HBM en Onyang, cuya primera piedra debe colocarse el 12 de noviembre.
Proyecto Kairos: 2 nm y 4 nm en Giheung
Según el Seoul Economic Daily, que cita fuentes de la industria, Samsung decidió construir fábricas de fundición avanzadas de 2 nm y 4 nm en los terrenos del antiguo Instituto Avanzado de Tecnología de Samsung (SR5) y de la facultad de ingeniería (CDI) en el campus de Giheung, en Yongin, Corea del Sur. La demolición de ambos edificios se completó en octubre. Samsung E&A se encargaría de la ingeniería, las adquisiciones y la construcción del complejo, que incluiría el edificio principal de Kairos, un edificio verde y una subestación.
El motivo es la HBM: Samsung ya produce los dies principales (core dies) de la HBM4, de sexta generación, en Hwaseong y Pyeongtaek, pero los dies base, fabricados con el proceso de 4 nm, salen de solo algunas líneas de esos campus. Con las nuevas fábricas en Giheung, la capacidad de dies base del proyecto Samsung Kairos crecería junto con la producción de core dies. El sector prevé que el volumen de HBM suministrado por Samsung crezca, en promedio, un 52% anual hasta 2028.
La fábrica Kairos se construiría en cuatro fases, como la planta de Pyeongtaek. El grupo de trabajo también planea convertir parte de la Línea 6 en una unidad de encapsulado avanzado. La línea de 2 nm prepara el terreno para la HBM5, de octava generación: los dies base de la HBM4 y de la HBM4E, prevista para producción en masa el próximo año, usan el proceso de 4 nm, mientras que el die base de la HBM5 debería usar el proceso más fino, de 2 nm.
La inversión estimada es de unos 25 billones de wones (aproximadamente 18.000 millones de dólares), incluidos entre 8 y 10 billones de wones en decenas de máquinas de litografía EUV. Con la conversión de la Línea 6, el total podría llegar a 30 billones de wones.
Onyang: nueva planta de encapsulado de HBM
En paralelo, Samsung construirá una nueva planta de encapsulado de semiconductores en el campus de Onyang, en Asan. La ceremonia de colocación de la primera piedra está prevista para el 12 de noviembre, con la presencia esperada del presidente de Samsung, Jay Y. Lee, y de otros ejecutivos sénior. La unidad, llamada Planta n.º 5 de Onyang, estará dedicada al encapsulado de HBM.
El proyecto forma parte de un plan mayor de inversión de 113 billones de wones para transformar la región de Chungcheong en un polo de tecnología y semiconductores, de los cuales 46 billones de wones se destinarán a instalaciones de encapsulado de HBM en los próximos años. El campus de Onyang opera desde 1991 y hoy se encarga de pruebas y control de calidad de semiconductores; con la nueva planta, su superficie total debería crecer alrededor de un 56%, de 270.000 a 420.000 metros cuadrados.
Por qué la HBM se volvió prioritaria
La HBM apila chips de memoria para ofrecer el ancho de banda que los aceleradores de IA necesitan para mover datos entre el procesador y la memoria. Con la carrera mundial por la infraestructura de IA, el encapsulado avanzado —la etapa que monta varios chips en un solo paquete— se convirtió en un cuello de botella de la industria, como mostró Reuters esta semana.
Lo que aún no está confirmado
Es importante separar lo anunciado de lo reportado: Samsung no ha confirmado oficialmente el proyecto Samsung Kairos, y las cifras de inversión son estimaciones de fuentes de la industria citadas por el Seoul Economic Daily. Tampoco hay confirmación oficial sobre los plazos de inicio de producción o la capacidad de obleas. La planta de Onyang tiene una ceremonia programada, pero los detalles del cronograma de construcción aún no se han divulgado.
Crédito de la imagen: edificio del Samsung Advanced Institute of Technology (SR5) en el campus de Giheung, en una foto de Samsung Electronics publicada por el Seoul Economic Daily. El lugar es donde se construiría la fábrica Kairos, según el periódico.
Fuentes
Seoul Economic Daily — Samsung to Build Advanced Foundry Fab at Giheung Campus
SammyGuru — Samsung's Giheung campus to get 2nm and 4nm foundry fabs
SammyFans — Samsung's plan to boost HBM production with new Asan plant
Geekiki — Empacotamento avançado de chips vira o novo campo de batalha da IA
Transparencia: este artículo fue producido con ayuda de inteligencia artificial, cruzando publicaciones públicas y fuentes de internet. La información sobre el proyecto Kairos proviene de fuentes de la industria citadas por el Seoul Economic Daily y aún no ha sido confirmada oficialmente por Samsung; consulte las fuentes originales para verificar los detalles antes de tomar cualquier decisión.
Muse
