Samsung Electronics bereitet mit dem Projekt Samsung Kairos eine Erweiterung auf zwei Fronten vor, um die Nachfrage nach High-Bandwidth-Memory (HBM) zu bedienen, einer Schlüsselkomponente von KI-Beschleunigern. Auf der einen Seite stehen 2-Nanometer- und 4-Nanometer-Fabs auf dem historischen Giheung-Campus; auf der anderen ein neues HBM-Verpackungswerk in Onyang, dessen Grundsteinlegung für den 12. November geplant ist.
Projekt Kairos: 2 nm und 4 nm in Giheung
Laut Seoul Economic Daily, die sich auf Branchenquellen beruft, hat Samsung beschlossen, moderne 2-nm- und 4-nm-Foundry-Fabs auf dem Gelände des ehemaligen Samsung Advanced Institute of Technology (SR5) und des Ingenieurhochschulgebäudes (CDI) auf dem Giheung-Campus in Yongin, Südkorea, zu errichten. Der Abriss beider Gebäude wurde im Oktober abgeschlossen. Samsung E&A soll Engineering, Beschaffung und Bau des Komplexes übernehmen, der das Kairos-Hauptgebäude, ein grünes Gebäude und ein Umspannwerk umfassen würde.
Treiber ist HBM: Samsung produziert die Kern-Dies (Core Dies) der HBM4, der sechsten Generation, bereits in Hwaseong und Pyeongtaek, doch die Basis-Dies, die im 4-nm-Verfahren gefertigt werden, stammen nur von wenigen Linien dieser Standorte. Mit den neuen Fabs in Giheung würde die Basis-Die-Kapazität des Projekts Samsung Kairos parallel zur Core-Die-Produktion wachsen. Die Branche erwartet, dass Samsungs HBM-Liefervolumen bis 2028 um durchschnittlich 52 % pro Jahr wächst.
Die Kairos-Fab würde in vier Phasen gebaut, wie das Werk in Pyeongtaek. Die Taskforce plant außerdem, einen Teil der Linie 6 in eine Anlage für Advanced Packaging umzuwandeln. Die 2-nm-Linie bereitet den Weg für HBM5, die achte Generation: Die Basis-Dies von HBM4 und HBM4E, deren Massenproduktion für nächstes Jahr geplant ist, nutzen das 4-nm-Verfahren, während der Basis-Die von HBM5 voraussichtlich das feinere 2-nm-Verfahren nutzen wird.
Die geschätzte Investition liegt bei rund 25 Billionen Won (etwa 18 Milliarden US-Dollar), darunter 8 bis 10 Billionen Won für Dutzende EUV-Lithografiemaschinen. Mit dem Umbau der Linie 6 könnte die Summe auf 30 Billionen Won steigen.
Onyang: ein neues HBM-Verpackungswerk
Parallel dazu wird Samsung ein neues Halbleiter-Verpackungswerk auf dem Onyang-Campus in Asan errichten. Die Grundsteinlegung ist für den 12. November vorgesehen; Samsung-Chairman Jay Y. Lee und weitere Führungskräfte werden erwartet. Die Anlage, Onyang-Werk Nr. 5 genannt, wird sich auf HBM-Verpackung konzentrieren.
Das Projekt ist Teil eines größeren Investitionsplans von 113 Billionen Won, um die Region Chungcheong zu einem Technologie- und Halbleiterzentrum auszubauen; davon sollen 46 Billionen Won in den kommenden Jahren in HBM-Verpackungsanlagen fließen. Der Onyang-Campus ist seit 1991 in Betrieb und kümmert sich derzeit um Halbleitertests und Qualitätskontrollen; mit dem neuen Werk soll seine Gesamtfläche um rund 56 % wachsen, von 270.000 auf 420.000 Quadratmeter.
Warum HBM zur Priorität wurde
HBM stapelt Speicherchips, um die Bandbreite zu liefern, die KI-Beschleuniger für den Datentransfer zwischen Prozessor und Speicher benötigen. Mit dem weltweiten Wettlauf um KI-Infrastruktur ist Advanced Packaging — der Schritt, bei dem mehrere Chips in einem Gehäuse vereint werden — zu einem Engpass der Branche geworden, wie Reuters diese Woche berichtete.
Was noch nicht bestätigt ist
Es ist wichtig, Ankündigungen von Berichten zu trennen: Samsung hat das Projekt Samsung Kairos offiziell nicht bestätigt, und die Investitionssummen sind Schätzungen von Branchenquellen, die der Seoul Economic Daily zitiert. Auch zu Produktionsstartterminen oder Waferkapazitäten gibt es keine offizielle Bestätigung. Für das Werk in Onyang ist eine Zeremonie angesetzt, doch Details zum Bauzeitplan wurden noch nicht bekannt gegeben.
Bildnachweis: Das Gebäude des Samsung Advanced Institute of Technology (SR5) auf dem Giheung-Campus, auf einem Foto von Samsung Electronics, veröffentlicht vom Seoul Economic Daily. Dort soll laut der Zeitung die Kairos-Fab entstehen.
Quellen
Seoul Economic Daily — Samsung to Build Advanced Foundry Fab at Giheung Campus
SammyGuru — Samsung's Giheung campus to get 2nm and 4nm foundry fabs
SammyFans — Samsung's plan to boost HBM production with new Asan plant
Geekiki — Empacotamento avançado de chips vira o novo campo de batalha da IA
Transparenz: Dieser Artikel wurde mit Unterstützung künstlicher Intelligenz erstellt, unter Abgleich öffentlicher Beiträge und Internetquellen. Die Informationen zum Projekt Kairos stammen aus Branchenquellen, die der Seoul Economic Daily zitiert, und wurden von Samsung noch nicht offiziell bestätigt; bitte konsultieren Sie die Originalquellen, um die Details vor einer Entscheidung zu prüfen.
Muse
