超薄铋铁氧体薄膜克服“死层”效应,有望用于低功耗 AI 芯片

布朗大学的研究人员开发出一种制备超薄铋铁氧体薄膜的技术,即使在仅几个埃的厚度下,薄膜仍能保持其电学和磁学性质。这项发表于《自然·材料》的研究攻克了该领域一个经典难题,即所谓的“死层”效应。

铋铁氧体是一种多铁性材料:它的电学和磁学性质相互耦合,可以用相对较小的电压加以调控。实际上,材料每个晶胞的电极化方向可以翻转,从而编码二进制数据,而与之关联的磁状态又能把信息读出——这为超低功耗存储器和逻辑电路提供了一种颇具前景的组合。

问题恰恰出现在把材料减薄到芯片所需尺寸时。在极小的厚度下,原子结构会失去正常工作所需的形状和化学状态,内部电场也会压过电极化。这两种效应叠加,会使材料的铁电性和磁性同时消失。

由布朗大学工程学助理教授卢卡斯·卡雷塔领导的团队提出的解决方案结合了两种边界条件。铋铁氧体薄膜生长在钪酸镝衬底上,其更窄的晶体结构会压缩薄膜,有助于保持其原子排列;另一层金属层则吸收杂散电场,维持材料的电极化。

结果不仅保留了原有性质:这种层状结构使材料表现出交变磁体的行为,即介于铁磁体和反铁磁体之间的混合磁状态。卡雷塔表示,这结合了两者的优点——运行速度快、可在芯片上高密度集成,同时仍能提供足够强的电信号用于读出。

需要理性看待这一进展:该研究展示的是超薄薄膜中的材料行为,而不是一款成品 AI 处理器,也不是在完整系统中实测的节能效果。这一进展是把多铁性材料推向器件可用尺度的一步,接下来仍需把这些薄膜制成可靠的元器件,并与其他芯片部件集成。

图片来源:超薄铋铁氧体研究的示意图,发表于《自然·材料》(2026 年),经 Knowridge 转载。

来源: Brown University; Nature Materials; TechXplore

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