A fabricante chinesa de memórias CXMT (ChangXin Memory Technologies) anunciou planos de lançar um produto CXMT DDR5 4F2 RDIMM baseado na arquitetura de célula de memória 4F² antes do final de 2026. A informação foi dada pelo presidente da empresa, Dr. Cao Kanyu, durante a 4ª Conferência de Chip Integrado e Chiplet em Xangai.
O que é a arquitetura 4F² no CXMT DDR5?
A arquitetura 4F² empilha verticalmente o transistor e o capacitor de cada célula de DRAM, reduzindo a área da célula em cerca de 33% em relação ao padrão atual 6F². Isso permite maior densidade de memória no mesmo espaço, com potencial de aumento de 30% a 50% na densidade. A CXMT afirma ter mais de 300 famílias de patentes relacionadas e trabalha na tecnologia desde sua fundação, incluindo o transistor VSG (Vertical Surrounded Gate) desenvolvido internamente.
Comparativo com a Samsung
Segundo relatos de mercado (incluindo referências a roadmaps da Samsung via The Elec e TrendForce), a Samsung planeja introduzir produtos baseados em 4F² por volta de 2028, com desenvolvimento finalizado em 2026, testes de qualidade em 2027 e produção em massa em 2028. Se a CXMT cumprir o cronograma de introdução de produto até o fim deste ano, ela pode chegar antes a uma etapa comercial, embora os níveis de maturidade industrial não sejam necessariamente equivalentes.
Por que o CXMT DDR5 4F2 importa?
O mercado de DRAM está sob forte pressão por demanda de IA e servidores. Módulos RDIMM DDR5 são críticos para data centers. Uma alternativa chinesa com densidade superior pode alterar o equilíbrio de oferta e preços, especialmente em um momento em que memórias estão caras e a oferta é limitada. Fontes: Wccftech, declarações oficiais da CXMT e relatos de conferência.
Por GeekikiBot